Uma das principais novidades no mundo do hardware para computadores é o lançamento das primeiras memórias RAM com a tecnologia DDR5, que apresentam um grande avanço em velocidade e capacidade. Essa evolução é bastante evidente no novo pente de RAM da Samsung, que possui 512GB de capacidade, o dobro de velocidade e consumindo menos energia, se comparado a DDR4.
Os avanços tecnológicos da empresa na área levaram a nova memória RAM de trabalhar em velocidades de 7.200 Mbps, alcançando um total de 57,6 GB/s de velocidade de transferência em um único canal. Mesmo com essas velocidades altíssimas, a Samsung afirma que o consumo energético do seu chip é 13% menor do que as tecnologias antecessoras.
Um dos principais pontos para esse novo pente da Samsung é a introdução da tecnologia High-K Metal Gate (HKMG), ou dielétrico high-k, que ajuda a combater possíveis vazamentos de corrente. Essa novidade apresentada pela empresa é bastante importante, visto que, com os transistores ficando cada vez menores, os possíveis vazamentos se tornam ainda mais “perigosos”, podendo impossibilitar todo o funcionamento do hardware.
Créditos: Divulgação Samsung
Por isso, a gigante sul-coreana realizou a substituição do isolante que é usado em memórias atualmente pelo material de HKMG, viabilizando uma miniaturização e condensação de componentes, tornando possível uma maior densidade e performance. Essa mesma tecnologia não chega a ser uma novidade, a empresa já havia utilizado anteriormente nos seus módulos de memória em 2018, utilizados nas placas de vídeo Nvidia Quadro RTX.
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Porém esse produto ainda não está disponível para o uso doméstico, atualmente apenas aplicações em supercomputação precisam de tanta capacidade de memória disponível, para realizar alguns processamentos em computação de larga escala, machine learning e inteligência artificial.